- Главная
- Об отделе
- Структура
- Лаборатория акусто- и электрооптики
- Лаборатория гидродинамики дисперсных систем
- Лаборатория ионно-кластерных технологий
- Лаборатория конверсионных технологий
- Лаборатория молекулярной кинетики
- Лаборатория низкотемпературной плазмы
- Лаборатория синтеза функциональных материалов
- Лаборатория редкоземельных материалов
- Лаборатория теплообмена и топливной энергетики
- Центр коллективного пользования
- Персоналии
- Оборудование
- ЛЭМПУС - 1
- ЛЭМПУС - 2
- КЛИУС
- Плазмохимический стенд
- Гидродинамический стенд
- Хромато-масс-спектрометр
- ЦХРС
- Гелиевый течеискатель MSE - 2000A
- Эксимерный лазер Coherent COMPexPro 50
- Атомно-адсорбционный спектрометр
- Атомно-эмиссионный спектрометр
- ИК-Фурье спектрометр
- Планетарная мельница серии
- Рентген-флюоресцентный энергодисперсионный спектрометр
- Система точной ионной полировки (PIPS) GATAN Model 691
- Универсальный Газовый анализатор UGA-200
- Хроматограф газовый Agilent 7890A CG
- Электронный микроскоп ТМ-1000
- Микровизор μVizo®-101
- Атомно-силовой микроскоп
- Установка роста кристаллов методом управляемого теплового потока
- Установка роста кристаллов низкоградиентным методом
- Установка поликристаллического синтеза
- Микросайзер-201А
- Ocean Optics USB4000-XR1-ES
- SteREO Discovery.V20
- Изостатический пресс AIP6-30H
- Партнеры
- Элементы установок
- Публикации
- Гранты и проекты
- Контакты
- Выставки
- Участие в конференциях
Стенд контроля оптической однородности и степени монодоменности в кристаллах KTP, BBO, RTP.
20/06/2017 KV
Данный стенд предназначен для измерения ключевых параметров, отбора и паспортизации заготовок из кристаллов BBO, KTP, RTP, пригодных для изготовления высококачественных электрических
модуляторов, а также измерения параметров полированных поверхностей элементов из кристаллов.
Стенд обеспечивает:
1. Контроль оптической однородности кристаллов, точность измерения искажения плоского волнового фронта световой волны a/10
на апертуре кристаллической заготовки размером до 50х50 мм2.
2. Контроль наведённой двуосности в кристаллах.
3. Контроль малоуглового рассеяния.
4. Контроль и построение границ монодоменных областей пластин KTP и RTP толщиной 0,2 - 20 мм, с
разрешением 500 мкм, поле измерения 50х50 мм2.
5. Контроль совершенства полированных поверхностей кристалла
»
- Войдите на сайт для отправки комментариев