Лаборатория синтеза функциональных материалов

1.Новые люминесцентные материалы для светодиодного освещения.

·         Новые фотолюминофоры  для  синих чипов, для создания безопасного «солнечного» освещения, без провала в зелёной области спектра.

·         Керамические, монокристаллические и стеклянные  удалённые фотолюминофоры, для создания сверхмощных радиоционно-стойких источников света.

·         Фотолюминесцентные пигменты, для светоизлучающих красок, чернил и пр.

·         Новые фотолюминофоры  для  синих чипов, для создания мощных ИК прожекторов.

Стеклокристаллические удалённые люминофоры для  LEDс повышенной светоотдачей и долговечностью.  Мотивация.

В коммерческих светодиодах в качестве связки для люминофора используется оптический силикон. Однако:

  •   Силикон имеет низкую теплопроводность (не более 0.1 Вт/М*К) и низкую радиационную стойкость, что приводит к перегреву кристаллов LED, помутнению силикона и сегрегации люминофора, и как следствие быстрому выходу устройства из строя. (реальный ресурс ~2000часов)
  •  Из-за отражений света на границах перехода сред  вследствие разницы коэффициентов преломления (GaN-2.2, Люминофор-1.84, Силикон- 1.56) потери света достигают порядка 20 %, то есть 20 % света просто не выходит из LED.
  • Размер частиц люминофора 12..20мкм. Оптические потери при  многократном рассеянии света на частицах люминофора еще дополнительно 10% потерь.
  • Стоимость коммерческого оптического силикона превышает $ 1 за 1г и составляет больше половины стоимости LED.

 

 В связи с этим представляется актуальной разработка технологии производства стеклокристаллического люминофора – конвертора для светодиодов с повышенной светоотдачей.

2. Высокотеплопроводящие подложки для электроники.

Проблема.

Современные полупроводниковые микросхемы на основе SiC,GaN,GaAsв рабочем режиме генерируют тепловой поток до 8 КВт/кв.см.При этом из-за нагрева резко ухудшаются все характеристики устройства.

 Для эффективного отвода тепла необходимы электропроводящие подложки с теплопроводностью выше 600 Вт/М*К и коэффициентом теплового расширения близким к используемой полупроводниковой гетероструктуре(5-8 ppm).

Решение проблемы.

Использование в качестве теплоотводящих подложек композитов Алмаз-Медь, Алмаз-Серебро.

Что было нужно сделать:

1.Разработать высокопроизводительную технологию покрытия алмаза карбидами и металлами, для эффективного смачивания металлической связкой на основе Сu,Ag.
2.Разработать технологию производства композитных пластин требуемой геометрии.

3. Рост  высокосовершенных оксидных кристаллов для науки и техники.

·         Ростовая аппаратура собственной разработки и изготовления.   Технологии роста собственной разработки.

·         Широкий спектр доступных высокосовершенных  кристаллов: CdWO4, ZnWO4, ZnMoO4, LiNbO3,KTiOPO4, KY(WO4)2, KSc(WO4)2,TeO2.

4. Синтез и рост полупроводниковых кристаллов под высоким давлением.

·         Уникальная ростовая аппаратура собственной разработки и изготовления

·         Технологии синтеза и роста собственной разработки

·         Доступные кристаллы: ZnSe,ZnTe.

5. Синтез оптической нанокерамики для науки и техники.

·         Метод горячего изостатического прессования (HIP)

·         Технология синтеза собственной разработки

·         Доступные материалы: (Y,Gd,Lu)3(Al,Ga)5O12, (Y,Lu,Gd,Sc,Ga)2O3, ZnO, ZnSe, ZnTe.

 

Зав. лаборатории Галашов Е.Н.