- Главная
- Об отделе
- Структура
- Лаборатория акусто- и электрооптики
- Лаборатория гидродинамики дисперсных систем
- Лаборатория ионно-кластерных технологий
- Лаборатория конверсионных технологий
- Лаборатория молекулярной кинетики
- Лаборатория низкотемпературной плазмы
- Лаборатория синтеза функциональных материалов
- Лаборатория редкоземельных материалов
- Лаборатория теплообмена и топливной энергетики
- Центр коллективного пользования
- Персоналии
- Оборудование
- ЛЭМПУС - 1
- ЛЭМПУС - 2
- КЛИУС
- Плазмохимический стенд
- Гидродинамический стенд
- Хромато-масс-спектрометр
- ЦХРС
- Гелиевый течеискатель MSE - 2000A
- Эксимерный лазер Coherent COMPexPro 50
- Атомно-адсорбционный спектрометр
- Атомно-эмиссионный спектрометр
- ИК-Фурье спектрометр
- Планетарная мельница серии
- Рентген-флюоресцентный энергодисперсионный спектрометр
- Система точной ионной полировки (PIPS) GATAN Model 691
- Универсальный Газовый анализатор UGA-200
- Хроматограф газовый Agilent 7890A CG
- Электронный микроскоп ТМ-1000
- Микровизор μVizo®-101
- Атомно-силовой микроскоп
- Установка роста кристаллов методом управляемого теплового потока
- Установка роста кристаллов низкоградиентным методом
- Установка поликристаллического синтеза
- Микросайзер-201А
- Ocean Optics USB4000-XR1-ES
- SteREO Discovery.V20
- Изостатический пресс AIP6-30H
- Партнеры
- Элементы установок
- Публикации
- Гранты и проекты
- Контакты
- Выставки
- Участие в конференциях
Стенд контроля контраста электрооптических модуляторов
20/06/2017 KV
Данный стенд предназначен для оценки качества готовых электрооптических модуляторов, измерения контраста оптических элементров и электрооптических модуляторов в сборе, а также для тестирования электрооптических систем в различных режимах эксплуатации.
Рабочие длины волн - 532 и 1064 нм;
Спектральная ширина рабочей длины волны 0,1 нм;
Поляризация - линейная;
Степень поляризации - 10000 : 1;
Диаметр коллимированного пучка 0,2 - 20 мм;
Измерение значений контраста в диапазоне 1 - 2000 с точностью 5%;
Картографированиевеличины контраста на апертуре кристала до 25х25 мм2;
Проведение измерений в диапазоне температур от 2 до 60 С (точность поддержания 0,1 С/мин), при импульсных управляющих напряжениях до 10000 В
и при постоянных управляющих напряжениях до 4000В;
»
- Войдите на сайт для отправки комментариев